目前  ，深紫外LED外延片生长技术主要采用金属有机化学气相沉积法 。 该方法基于LED外延片生长的基本原理 。 深紫外LED外延片生长的基本原理是在衬底（主要是皇冠新体育app官方入口石、sic、SI）加热到合适的温度时  ，控制in、GA、al、P等气体物质向衬底表面的传输  ，生长出特定的单晶薄膜

深UV紫外线LED概念片的制取整个过程十分的较为复杂 。 本质性片开发管理完工后  ，从每家本质性影片中随时选定 9个点实施检测 。 复合要求的为良品  ，剩余为劣品（电压值误差大、激发光谱长等） 。 好的LED护肤品的本质性片应加工成电极片（P极和N极） 。

第二步皮秒激光打孔  ，第二步100%分类 。 跟据各不相同的电压电流、光的波长和光亮度实施全自動分类  ，演变成LED晶圆（棱形晶圆） 。 第二步  ，实施目视化管理常规检查  ，找到有中度障碍或金属电极偏磨的元器件 。 这样是后向散射多晶体 。

此情此景  ，白色聚酯薄膜上的晶片一致合正确搬卸需求  ，必然会成了外缘晶片或很糙晶片 。 有缺陷的本质晶片（一般是鉴于一部分因素一致合需求）不必须 是矩形晶片  ，电极材料（P极和N极）不必须 重新诊断  ，也就会到现在整个市场上的LED晶片（表中都是好地方  ，如矩形等） 。

半导体设备处理供应商通常利用的抛光剂硅片和本质硅片是模块化线路的原素材料 。 本质晶片在20上个世纪80年份初被利用的 。 它是包括部分标准规范PWs中未会发现的电力设备属性  ，除掉了晶状体生张和下一步晶圆处理过程中 中机遇的很多外面/近外面不足 。